如何分析记忆电阻器模块

2022-06-10 小知识

非线性掺杂漂移法的理想记忆电阻器。
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方式/
1【如何分析记忆电阻器模块】库：Simscape / Foundation Library / Electrical / Electrical Elements
如下图所示。

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2申明
这个模块许可您用非线性掺杂剂漂移的方式来模拟一个抱负的记忆电阻器。忆阻器的行为与电阻近似，只是它的电阻（也称为忆阻）是经由过程器件的电流的函数。记忆电阻由两种状况界说， A和B ，在给定的时候内，器件的一部门处于此中一种状况。
非线性掺杂剂漂移模子用以下方程描述：

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3此中具体信息如下图所示。

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4窗口功能是，如下图所示。
此中p是一个正整数。当ξ接近0或1时，对该函数进行点窜，以提高数值不变性。

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5变量
要在仿真之前设置块变量的优先级和初始方针值，请利用“块”对话框中的“变量”选项卡（或“块特征查抄器”中的“变量”部门）。有关具体信息，请拜见设置块变量的优先级和初始方针。

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6+ — 正极端子
电气
与记忆电阻器正极端子相关的电气保留端口。
- — 负极端子
电气
与记忆电阻器负极端子相关的电气保留端口。

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7A态电阻-A态全记忆电阻器
1?（默认）|正标量
若是整个记忆电阻器处于状况A ，即ξ=1时的电阻。该值应大于0 。

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以上内容就是如何分析记忆电阻器模块的内容啦，希望对你有所帮助哦！

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