作为一名电源研发工程师，自然经常与各种芯片打交道，可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解，不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面，按照推荐设计搭建外围完事 。如此一来即使应用没有问题，却也忽略了更多的技术细节，对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验 。今天以一颗DC/DC降压电源芯片LM2675为例，尽量详细讲解下一颗芯片的内部设计原理和结构，IC行业的同学随便看看就好，欢迎指教！
LM2675-5.0的典型应用电路
打开LM2675的DataSheet，首先看看框图
这个图包含了电源芯片的内部全部单元模块，BUCK结构我们已经很理解了，这个芯片的主要功能是实现对MOS管的驱动，并通过FB脚检测输出状态来形成环路控制PWM驱动功率MOS管，实现稳压或者恒流输出 。这是一个非同步模式电源，即续流器件为外部二极管，而不是内部MOS管 。
下面咱们一起来分析各个功能是怎么实现的
一、基准电压
类似于板级电路设计的基准电源，芯片内部基准电压为芯片其他电路提供稳定的参考电压 。这个基准电压要求高精度、稳定性好、温漂小 。芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压，因为这个电压值和硅的带隙电压相近，因此被称为带隙基准 。这个值为1.2V左右，如下图的一种结构：
这里要回到课本讲公式，PN结的电流和电压公式：
可以看出是指数关系，Is是反向饱和漏电流（即PN结因为少子漂移造成的漏电流） 。这个电流和PN结的面积成正比！即Is->S 。
如此就可以推导出Vbe=VT*ln(Ic/Is) !
回到上图，由运放分析VX=VY，那么就是I1*R1 Vbe1=Vbe2，这样可得：I1=△Vbe/R1，而且因为M3和M4的栅极电压相同，因此电流I1=I2，所以推导出公式：I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN结面积之比！
回到上图，由运放分析VX=VY，那么就是I1*R1 Vbe1=Vbe2，这样可得：I1=△Vbe/R1，而且因为M3和M4的栅极电压相同，因此电流I1=I2，所以推导出公式：I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN结面积之比！
这样我们最后得到基准Vref=I2*R2 Vbe2，关键点：I1是正温度系数的，而Vbe是负温度系数的，再通过N值调节一下，可是实现很好的温度补偿！得到稳定的基准电压 。N一般业界按照8设计，要想实现零温度系数，根据公式推算出Vref=Vbe2 17.2*VT，所以大概在1.2V左右的，目前在低压领域可以实现小于1V的基准，而且除了温度系数还有电源纹波抑制PSRR等问题，限于水平没法深入了 。最后的简图就是这样，运放的设计当然也非常讲究：
如图温度特性仿真：
二、振荡器OSC和PWM
我们知道开关电源的基本原理是利用PWM方波来驱动功率MOS管，那么自然需要产生振荡的模块，原理很简单，就是利用电容的充放电形成锯齿波和比较器来生成占空比可调的方波 。
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