扩展数据输出Extended data out--EDO，有时也称为超页模式--hyper-page-modeDRAM， 和突发式EDOBust EDO-BEDODRAM是两种基于页模式内存的内存技术 。EDO大约一年前被 引入主流PC，从那以后成为许多系统厂商的主要内存选择 。BEDO相对更新一些，对市场的 吸引还未能达到EDO的水平 。EDO的工作方式颇类似于FPM DRAM：先触发内存中的一行，然后触发所需的那一列 。但是当 找到所需的那条信息时，EDO DRAM不是将该列变为非触发状态而且关闭输出缓冲区这是 FPM DRAM采取的方式，而是将输出数据缓冲区保持开放，直到下一列存取或下一读周期开 始 。由于缓冲区保持开放，因而EDO消除了等待状态，且突发式传送更加迅速 。
EDO还具有比FPM DRAM的6-3-3-3更快的理想化突发式读周期时钟安排：6-2-2-2 。这使得 在66MHz总线上从DRAM中读取一组由四个元素组成的数据块时能节省3个时钟周期 。EDO 易于实现，而且在价格上EDO与FPM没有什么差别，所以没有理由不选择EDO 。BEDO DRAM比EDO能更大程度地改善FPM的时钟周期 。由于大多数PC应用程序以四周期突 发方式访问内存，以便填充高速缓冲内存 系统内存将数据填充至L2高速缓存，如果没有 L2高速缓存，则填充至CPU，所以一旦知道了第一个地址，接下来的三个就可以很快地由 DRAM提供 。BEDO最本质的改进是在芯片上增加了一个地址计数器，用来跟踪下一个地址 。BEDO还增加了流水线级，允许页访问周期被划分为两个部分 。
对于内存读操作，第一部分 负责将数据从内存阵列中读至输出级第二级锁存，第二部分负责从这一锁存将数据总线驱 动至相应的逻辑级别 。因为数据已经在输出缓冲区内，所以访问时间得以缩短 。BEDO能达 到的最大突发式时钟安排为5-1-1-1采用52nsBEDO和66-MHz总线比优化EDO内存又节省 了四个时钟周期 。
RAM是如何工作的
实际的存储器结构由许许多多的基本存储单元排列成矩阵形式，并加上地址选择及读写控制 等逻辑电路构成 。当CPU要从存储器中读取数据时，就会选择存储器中某一地址，并将该地 址上存储单元所存储的内容读走 。早期的DRAM的存储速度很慢，但随着内存技术的飞速发展，随后发展了一种称为快速页面 模式Fast Page Mode的DRAM技术，称为FPDRAM 。FPM内存的读周期从DRAM阵列中某一行 的触发开始，然后移至内存地址所指位置的第一列并触发，该位置即包含所需要的数据 。第 一条信息需要被证实是否有效，然后还需要将数据存至系统 。一旦发现第一条正确信息，该 列即被变为非触发状态，并为下一个周期作好准备 。这样就引入了“等待状态”，因为在该 列为非触发状态时不会发生任何事情CPU必须等待内存完成一个周期 。
直到下一周期开始 或下一条信息被请求时，数据输出缓冲区才被关闭 。在快页模式中，当预测到所需下一条数 据所放位置相邻时，就触发数据所在行的下一列 。下一列的触发只有在内存中给定行上进行 顺序读操作时才有良好的效果 。从50纳秒FPM内存中进行读操作，理想化的情形是一个以6-3-3-3形式安排的突发式周期 6个时钟周期用于读取第一个数据元素，接下来的每3个时钟周期用于后面3个数据元 素 。第一个阶段包含用于读取触发行列所需要的额外时钟周期 。一旦行列被触发后，内存 就可以用每条数据3个时钟周期的速度传送数据了 。FP RAM虽然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU 。很快又出现了EDO RAM和SDRAM等新型高速的内存芯片 。
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